2 天之前  摘要 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究

2024年5月10日  不过随着技术的进步，中国建筑材料科学研究总院的专家们已实现了大尺寸、复杂形状、高度轻量化、全封闭光刻机用碳化硅陶瓷方镜及其他结构功能光学零部件

2022年5月20日  常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅

2 天之前  常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应

2023年8月7日  详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 在碳化硅半导体的制备过程中，晶圆衬底制造作为占据总成本的40%，是至关重要的一项工艺。 在半导体晶圆衬底制造过程中，切

碳化硅具有高频效率、高耐压、耐高温、抗辐射和化学稳定性等优越性能，在半导体照明、5G 通信技术、太阳能、智能电网和新能源集成等战略性新兴领域具有广阔的应用前景。

2023年5月11日  本文以所制备的硅铝溶胶作为粘结剂与碳化硅微粉进行混合、制粒、烧结，以获得可用作磨料的碳化硅粉体。 通过激光粒度、XRD、SEM对样品进行表征发现：硅铝溶胶作为结合剂能有效结合碳化硅微

再利用热丝化学气相沉积法(Hot filament chemical vapor deposition,HFCVD)在金刚石磨粒与碳化硅磨盘基体之间沉积一层金刚石薄膜并将其连结起来,制造出碳化硅基体单层CVD金

2023年1月23日  碳化硅（SiC）材料因其优异的抗辐射性、导热性、抗氧化性和机械强度而广泛应用于核材料和半导体材料领域。 分子动力学（MD）模拟是研究SiC材料的性质、

2024年2月11日  本研究提出了一种通过碳热还原工艺从镍铁渣酸浸渣中制备碳化硅（SiC）的创新工艺。 结果表明，酸浸渣无定形二氧化硅含量高达8420%，粒径细

2023年9月20日  摘 要 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注,其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械工业、电子工业和生物陶瓷等领域。 本文在国内外相关文献的基础上,重点介绍了纳米SiC

本发明公开了一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法,该方法为:一,将装有固体硅料的石墨坩埚置于高温石墨化炉内,将石墨基体置于石墨坩埚内的石墨支架上,利用硅蒸气和石墨基体表面的碳直接反应生成一层碳化硅涂层;二,将表面生成碳化硅涂层的石墨基体置于

2019年6月17日  成果名称：化学气相沉积碳化硅涂层石墨盘技术 成果拥有单位：国防科学技术大学 成果简介： GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。 GaN材料的制备主要采用气相外延生长的方

摘要： 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法,机械粉碎法,溶胶–凝胶法,化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等本文对SiC粉体的制备,碳化硅陶瓷

与碳化硅砂纸相比，标乐金刚石磨盘 （DGD） 具有更长的使用寿命、更高的去除率、更高的效率和一致性，并减少了浪费。它们是许多研磨应用的理想选择，包括碳化硅砂纸可能无法有效磨削的非常坚硬的材料。制备各种材料

知乎专栏碳化硅粉末制备的研究现状 知乎2020年12月7日 碳化硅粉末制备的研究现状 风殇 SiC粉末制作方式可以分为机械粉碎法，液相、气相合成法。 机械粉碎法还包括行星球磨机，砂磨机，气流法等。 液相合成法包含 碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成 碳化硅制备常用的5种方法 百家

碳化硅/石墨烯复合材料制备及其性能研究 石墨烯从2004年发现至今,一直处于科学研究热点前沿领域石墨烯优异的导热和导电等性能可望使其在电子,航空航天等领域实现重要运用由石墨烯粉体制备的块体或者薄膜材料,石墨烯片层未成键,导致力学性能较差,限制

2024年5月10日  晶圆制造离不开氧化、扩散、退火、合金等热处理工艺，主要涉及的碳化硅陶瓷产品包括在各制程之间搬运晶圆用的碳化硅陶瓷臂以及热处理设备反应腔内的零部件等。 1陶瓷臂 在硅晶片生产时，需要经过高温热处理，常使用机械臂搬送、运输以及定位半导体

2022年8月24日  碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料； 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法

2023年11月21日  12、上述一种蓝宝石基片用软硬同体固结磨盘及其制备方法，包括如下步骤： 13、步骤s1：按照配方，将硬质磨料与软质磨料经无水乙醇搅拌清洗烘干后备用； 14、步骤s2：按照配方，在硬质结合剂中加入步骤s1清洗烘干后软质磨料和反应助剂、耐磨

2021年11月9日  首先是确定硬度中等的TA10钛合金的磨抛工艺参数，如研磨磨盘转速、试样压力、磨料类型、磨抛剂等，然后根据不同钛合金的硬度值（见表1）设计出其他钛合金的抛磨参数，再经过反复试验，不断调整

2、碳化硅陶瓷在光刻机上的应用 碳化硅是一种性能优异的结构陶瓷材料，具有高强度、高硬度、高弹性模量、高比刚度、高导热系数、低热膨胀系数和优良的化学稳定性，被广泛应用于石油化工、机械制造、核工业、微电子工业等领域。 碳化硅具有极高的

2024年4月30日  技术进步方面，碳化硅磨料磨盘制备技术的不断创新提高了产品性能和质量，降低了生产成本，为市场快速发展提供了有力支撑。 投资机会与风险部分，文章指出碳化硅磨料磨盘市场正迎来前所未有的发展机遇，具有技术优势、市场占有率高、产业链完善的企业将成为投资者的重要选择。

摘要： 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法,机械粉碎法,溶胶–凝胶法,化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等本文对SiC粉体的制备,碳化硅陶瓷

2023年11月8日  碳化硅（SiC）具有抗腐蚀性、高热导率、抗热冲击和高的化学稳定性等优点，能够在GaN外延气氛中发挥良好的作用。 此外，SiC的热膨胀系数与石墨相似，因此SiC是作为石墨基座涂层的首选材料。 目前，常见的SiC主要有3C、4H和6H类型，不同晶型的SiC适用于不同的

SiC高温陶瓷涂层改善基体的高温烧蚀性能,主要是因为SiC高温陶瓷涂层在高温下形成玻璃相的SiO2氧化膜,相互凝聚粘结在涂层表面,形成致密的、连续的和均匀的氧化膜,由于玻璃相的SiO2具有良好的表面润湿性和愈合性能,它可以防止外部热量扩散到基体内部,因而让

2020年2月18日  然后将改性浆料进行离心干燥制备出第一步改性粉体。第二步是制备用于注浆成型的碳化硅浆料。将第一步改性粉体配制成固相含量为50Vol％—60Vol％的浆料，然后向浆料中加入碳化硅颗粒和消泡剂，制备成固相含量为65Vol％—75Vol％的均匀碳化硅浆料。

碳化硅涂层石墨盘工艺流程 1、石墨基体制备：将石墨材料进行切割、打磨等处理，制成所需尺寸和形状的基体。 2、表面处理：将基体表面进行清洗、去油等处理，以保证碳化硅涂层能够牢固地附着在基体表面。 3、碳化硅涂层制备：将碳化硅材料进行粉末

2022年4月21日  关键词: 碳化硅陶瓷, 注浆成型, 反应烧结, 微观结构 Abstract: Fine powder silicon carbide ceramics were prepared by reaction sintering using SiC powders(d 50 =36 μm,SiC≥98 mass%) as the main raw material,added with carbon black,graphite,water reducing agent and dispersing medium,well mixed,slip cast,dried at 80 ℃ and reaction

碳化硅色心的制备与量子调控 碳化硅是一种广泛应用于微电子,航天航空,大功率器件等行业的宽禁带半导体材料碳化硅具有成熟的单晶生长,微纳加工和掺杂等技术近几年,碳化硅色心因具有近红外荧光辐射,长自旋相干时间以及易于集成等优点吸引了越来越多的

2022年11月22日  随着碳化硅衬底制备技术的提升及产能扩张，碳化硅衬底价格正在逐步降低。在外延片价格构成中，衬底占据了外延50% 以上的成本，随着衬底价格的下降，碳化硅外延价格也有望降低。 上一篇: 液相法

2009年11月12日  摘要/Abstract 摘要： 介绍了模板法、溶胶凝胶法以及聚碳硅烷裂解法制备高比表面积碳化硅的主要过程和结果, 并介绍了碳化硅作为催化剂载体在多相催化中应用的研究进展 对碳化硅在多相催化中的应用前景进行了展望 关键词: 高比表面积碳化硅, 模板合

2023年9月25日  本发明提供了一种金刚石磨盘及其制备方法，所述金刚石磨盘由盘体和打磨面组成，所述打磨面配置在盘体上，用于在旋转后对外部工作面实施平整打磨；所述盘体配置成由DLP光固化的3D打印方式制造出为多孔结构的多边形结块所构造成；多个所述多边形结块通过结合剂规则拼接而成呈环

2024年4月16日  在碳化硅制备这个技术领域，未来的发展路径铺展着无限的可能性和潜力。让我们一起来展望一下这些令人激动的未来方向。新兴制备技术的探索正在给传统制备方法带来革命性的变化。例如，基于3D打印技术的碳化硅制备就是一个非常有潜力的发展方向。

2024年2月11日  本研究提出了一种通过碳热还原工艺从镍铁渣酸浸渣中制备碳化硅（SiC）的创新工艺。结果表明，酸浸渣无定形二氧化硅含量高达8420%，粒径细小，d50 = 2916 μm，是制备SiC的理想硅源。与炭黑、活性炭、石墨相比，焦炭是更适合制备SiC的碳

金刚石磨盘被广泛应用在脆硬材料加工领域。 文章将机械粉碎法加工而成的金刚石磨料混入光刻胶溶液中,通过甩胶机将光刻胶均匀地甩在碳化硅基体表面以使磨料均匀分布在基体表面。再利用热丝化学气相沉积法(Hot filament chemical vapor deposition,HFCVD)在

2024年3月26日  1一种大尺寸碳化硅籽晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、碳化硅单晶生长获得碳化硅晶锭； S2、切割碳化硅晶锭，获得碳化硅晶棒，将碳化硅晶棒切割为多个碳化硅切割片，所述碳化硅切割片的TTV＜6μm，Bow＜20μm，Warp＜20μm； S3、双面研磨

2023年11月15日  The 8inch ntype 4HSiC single crystal substrate with low dislocation density has been fabricated by physical vapor transport (PVT) method, of which the threading screw dislocation (TSD) density is 055 cm–2, and the basal plane dislocation (BPD) density is 202 cm–2 Key words: 4HSiC; 8inch; low dislocation density; single

产品描述 321产品详情 Buehler的CarbiMet和MicroCut碳化硅磨纸是SiC磨盘的主要产品，可有效去除材料并减少表面损伤。 我们的圆盘具有各种粒度，微米大小和直径。 CarbiMet碳化硅磨盘可在磨削过程中提供快速的磨削时间，同时将表面损伤降至最低。 由于

2020年6月10日  碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO

2022年4月20日  大，成本高。随着反应烧结碳化硅技术的广泛应用，传统反应烧结碳化硅陶瓷满足不了工业上对碳化硅 陶瓷形状复杂性的要求。近年来，部分采用碳化硅纳米粉制备出烧结密度 高，抗弯强度大的碳化硅陶瓷，极大提高了材料的力 学性能[9]。

3 天之前  新型碳化硅基体单层CVD金刚石磨盘的制备 金刚石磨盘被广泛应用在脆硬材料加工领域文章将机械粉碎法加工而成的金刚石磨料混入光刻胶溶液中,通过甩胶机将光刻胶均匀地甩在碳化硅基体表面以使磨料均匀分布在基体表面再利用热丝化学气相

2024年5月3日  在碳化硅产业链中，衬底部分占据主要价值份额，其在碳化硅器件总成本中的比重可达近50%。 相较而言，在硅基半导体器件的成本结构中，硅片衬底的占比通常不超过10%。 这一显著差异的根本原因在于碳化硅单晶材料制备的复杂性。 不同于硅，碳化硅在

2023年8月29日  碳化硅陶瓷膜具有耐高温、抗热震、耐腐蚀、高通量、使用寿命长等优势，是环境污染治理领域中的关键材料。 如何制备面向应用过程的高性能碳化硅陶瓷膜已经成为目前的研究热点。 本综述介绍了碳化硅陶瓷膜的成膜方法，包括浸渍提拉法、喷涂法、化

2020年8月27日  SiC陶瓷的制备通常有以下几种方法： (1)无压烧结 无压烧结法制备的SiC陶瓷，其致密度通常可达到98%，这主要是因为添加的烧结助剂，如铝溶胶、硅溶胶等，在高温下形成液相促进烧结，从而促进了陶瓷的致密化。 Omori等以氧化物作为烧结助剂，在较低的烧结

总结 碳化硅MOSFET的制备过程涵盖了硅衬底制备、基底表面处理、硅衬底清洗、硅衬底极柱制备、氧化层形成、金属栅极制备、掩膜形成、掺杂处理、金属电极制备和金属化层制备等步骤。 每个步骤都需要精确的工艺控制和设备支持，以确保碳化硅MOSFET的质量和

2020年11月20日  目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HTCVD）。 其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT和HTCVD，与HTCVD法相比，采用PVT法生长的SiC单晶所需要的